ES1JL R3G तकनीकी विनिर्देश
TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Taiwan Semiconductor | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.7V @ 1A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 600V | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Sub SMA | |
| गति | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 35ns | |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-219AB | |
| दुसरे नाम | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 21 Weeks | |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
| डायोड प्रकार | Standard | |
| विस्तृत विवरण | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5µA @ 600V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 8pF @ 4V, 1MHz |
दाईं ओर के तीन भागों में TSC (Taiwan Semiconductor) ES1JL R3G के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | ES1JL R3G | ES1JFL | ES1JAF | ES1JFL |
| उत्पादक | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | onsemi |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 21 Weeks | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | DO-219AB | SOD-123F | DO-214AD, SMAF | SOD-123F |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| शृंखला | - | - | - | - |
| डायोड प्रकार | Standard | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| विस्तृत विवरण | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| समाई @ वीआर, एफ | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Sub SMA | SOD-123F | DO-214AD (SMAF) | SOD-123F |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 600V | 600 V | 600 V | 600 V |
| गति | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| दुसरे नाम | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
- | - | - |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 35ns | 35 ns | 34 ns | 35 ns |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5µA @ 600V | 5 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 500 nA @ 600 V |
ES1JL R3G - TSC (Taiwan Semiconductor) के लिए ES1JL R3G PDF DataSheets और TSC (Taiwan Semiconductor) प्रलेखन डाउनलोड करें।
ES1JFLTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
ES1JHFPANJITES1JAFonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ADES1JHR2GTaiwan SemiconductorES1JWGPANJITES1J-SMAG-T5MDDES1J_R1PANJITES1JL_RUGTaiwan SemiconductorES1JS T/RPANJITES1JFLonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
ES1J_NLFairchild (onsemi)ES1JF R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FLES1JL-40 RUES1JT/R/ES1JTOSHIBA/PANJIT/XXES1J-TRGOOD-ARKES1JT/RPANJITES1JL-04RUTaiwan Semiconductor
ES1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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